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SK hynix 介绍

公司简介

SK海力士,前身为1983年成立的现代电子产业株式会社,1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年从现代集团分离出来,更名为(株)海力士半导体。
2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。
SK海力士致力于生产以DRAM、NAND Flash & CIS非存储器为主的半导体产品。
目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线,在中国无锡有一条12英寸生产线。
SK海力士是世界第二大DRAM制造商,并于2007年成长为世界第六大半导体企业。
目前在世界各地设有销售法人和办事处。
SK海力士稳固地立足于以DRAM和闪存为主的半导体存储器领域,通过产品种类多样化,包括涉足CIS商业领域等策略,正逐步成长为综合性的半导体设备供应商。

公司历程

  • 1983.02 创立现代电子株式会社
  • 1996.12 公司股票上市
  • 1999.10 合并LG半导体,成立现代半导体株式会社
  • 2001.03 公司更名为(株)海力士半导体
  • 2001.08 完成与现代集团的最终剥离
  • 2003.04 宣布与STMicroelectronics公司签定合作生产NAND闪存的协议
  • 2003.12 宣布与茂德科技签署长期的战略性MOU
  • 2004.07 获得公司成立以来最大的季度销售利润
  • 2005.07 提前终止企业重组完善协议
  • 2006.10 海力士-意法半导体竣工(无锡工厂)
  • 2007.04 在韩国清州动土建造300mm fab
  • 2007.03 任命Jong-Kap Kim作为新会长及执行总裁
  • 2007.12 成功发行约6亿美元大规模海外债券
  • 2008.05 宣布与台湾茂德科技签订全面合作合约
  • 2008.08 清州300mm专用第3工场竣工
  • 2009.02 成功开发世界顶尖44nmDDR3 DRAM
  • 2010.06 中国海太半导体封装测试项目竣工
  • 2010.09 入选道琼斯可持续发展世界指数
  • 2011.07 与东芝签署MRAM联合开发协议
  • 2012.02 SK电讯收购海力士
  • 2012.05 公司名称正式变更为SK海力士株式会社
  • 2012.06 清州建立M12工厂
  • 2012.06 收购 Ideaflash S.r.l , 于欧洲建立闪存研发中心
  • 2012.06 与IBM签署联合开发PCRAM的协议
  • 2013.02 任命Park Sung Wook为新任CEO
  • 2013.06 与Rambus签署了专利许可协议
  • 2013.07 与三星电子签署了交叉许可协议
  • 2014.05 与Violin Memory的PCle Card部门合并
  • 2014.06 与Softeq Development FLLC的固件部门合并
  • 2014.09 于中国四川省重庆市建立后端线
  • 2014.12 与东芝签署了联合开发纳米压印光刻谅解备忘录
  • 2015.02 全球首个商品化的8Gb LPDDR4

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