Основные события

2009	04	Разработка первого в мире высокоскоростного мобильного DDR2 DRAM 1Гб с низким потреблением электроэнергии(Low Power-High Speed)
	03	Презентация сертификата на первый в мире 2-Rank DDR3 R-DIMM 8GB
	02	Разработка первого в мире DDR3 DRAM 44нм
	01	Получение сертификата Intel на первый в мире высокоскоростной DDR3, основанный на модуле для 4ГБ ECC UDIMM сервера

2008	12	Разработка первого в мире мобильного DRAM 2Гб
	11	Внедрение самого высокоскоростного среди продукции предприятий данной отрасли графического DRAM 1Гб, 7Гбит/с
	08	Завершение строительства третьего завода по сборке 300мм в г.Чхонджу
		Демонстрация первого в мире 2-Rank R-DIMM 16 ГБ с использованием технологии MetaRAM™
		Увеличение усилий Numonyx и Hynix для внедрения изделий и технологий новой, революционной памяти NAND-флэш
	05	Принятие проекта поправок для усиления долгосрочного стратегического сотрудничества с компанией ProMOS
	04	Приветствие принятия мер совета министров ЕС по отмене компенсационной пошлины на DRAM компании Hynix
		Разработка самого высокоскоростного в мире мобильного LPDDR2
	02	Внедрение 2-Rank 8ГБ DDR2 RDIMM
	01	Заключение контракта о сотрудничестве в совместной программе исследований и разработки технологий энергонезависимой памяти нового поколения
		Презентация сертификата на продукцию UDIMM 1ГБ/2ГБ, 800МГц

2007	12	Успешный выпуск международных конвертируемых ценных бумаг (global convertible notes)
	11	ВТО вынесла решение о том, что Япония проиграла дело относительно карательной пошлины на импорт чипов компании Hynix
		Заключение договора о сотрудничестве в проектах в СНГ с компанией SiliconFile
		Получение сертификата Intel на DDR2 DRAM 1Гб
		Разработка первого среди предприятий данной отрасли GDDR5 DRAM 1Гб
	10	Заключение контракта на технологию и лицензию относительно PRAM с компанией Ovonyx
		Заключение контракта в целях сотрудничества по экологическому контролю с Федерацией движения в защиту окружающей среды (Республика Корея)
	09	Разработка первой в мире главной управляющей программы NAND-флэш из 24 чипов, расположенных в стеке (stacked chips)
	08	Разработка самого высокоскоростного и самого миниатюрного среди продукции предприятий данной отрасли мобильного DRAM 1Гб
	07	Презентация средне- и долгосрочного мастер-плана предприятия
	05	Впервые среди предприятий данной отрасли получение сертификата Intel на продукцию DDR3 DRAM
	04	Начало массового производства DOC H3
		Начало строительства завода 300мм в г.Чхонджу, Республика Корея
		Достижение высшего уровня прибыли от продаж
	03	Разработка самого высокоскоростного в мире мобильного DRAM ECC
		Презентация "ЭКО Марк(ECO Mark)"
		Заключение контракта с компанией Toshiba о взаимной лицензии на патент и поставке полупроводников
		Договоренность с компанией SanDisk о заключении контракта о взаимной лицензии на патент и заключение Меморандума о намерениях по учреждению совместного предприятия относительно технологии x4
		Назначение г-на Ким Джон Гап новым генеральным директором
	01	Разработка высокоскоростного модуля памяти, основанного на технологии 'Корпус на базе подложки кристалла(Wafer Level Package)'
		Установление лучших результатов и уровня прибыли 2006 года

2006	12	Презентация первого среди продукции предприятий данной отрасли модуля на основе 60нм 1Гб DDR2 800МГц
		Разработка самого высокоскоростного мобильного DRAM 200МГц 512Мб
	10	Самый лучший рекордный результат со дня основания компании
		Создание международной производственной сети после завершения строительства АО Hynix ST Semiconductors
	09	Запуск линии исследовательского производства 300мм
	03	Впервые среди предприятий данной отрасли получение сертификата на продукцию 80нм 512Мб DDR2 DRAM от компании Intel
	01	Презентация плана совместной с компанией M-Systems разработки DOC H3 (DiskOnChip нового образца со встроенной флэш-памятью)

2005	12	Первый в мире GDDR4 512Мб, разработка графического DRAM с самой высокой скоростью и плотностью среди продукции предприятий данной отрасли
	11	Выпуск первых среди продукции предприятий данной отрасли DDR2 R-DIMM 8ГБ по стандарту JEDEC
	07	Подтверждение о прекращении совместного управления организацией кредитного финансирования на ранней стадии.
	04	Начало строительства совместного завода в Китае, в г.Уси провинции Джангссу
	03	Достижение наибольшей в истории прибыли от операций 2004г.
	01	Заключение генерального контракта по стратегическому сотрудничеству с тайваньской компанией ProMOS

2004	11	Заключение генерального контракта с компанией STMicro по учреждению совместного завода на территории Китая
	08	Заключение генерального контракта по учреждению завода на территории Китая с г.Уси провинции Джангссу
	07	Достижение наибольшей прибыли за квартал с момента основания компании
	06	Оформление передачи отрасли продажи полупроводников системы и изделий, не использующих память
	03	Разработка первого высокоскоростного DDR SDRAM 550MHz
	03	Получение сертификата от Intel на 1Gb DDR SDRAM
	02	Успех в разработке Nand Flash-памяти

2003	12	Стратегическое сотрудничество с тайваньской компанией ProMOS
	08	Разработка первого в мире 1Gb DDR2
	07	Выпуск на рынок первого в мире высокоскоростного DDR500
	06	Получение первого сертификата от Intel на 512Mb DDR400
	05	Успех технологии массового производства золотого чипа класса микрон Массовое производство 256Mb SDRAM с низкой мощностью для мобильной связи
	04	Стратегическое сотрудничество с компанией ST по Flash-памяти
	03	Разработка первой технологии серийного производства FeRAM Мега- класса

2002	11	Завершение продажи Хайдис
	10	Разработка 512М DDR класса 0.10микрон
	08	Выпуск на рынок первого высокоскоростного 256М DDR SDRAM для графической памяти
	06	Выпуск на рынок первого 256М SDRAM для информационных электроприборов с большими возможностями
	03	Выпуск на рынок модуля 1G DDR DRAM

2001	12	Выпуск на рынок первого в мире 128M DDR SDRAM для графической памяти
	11	Получение потребительского сертификата на DDR 333 от тайваньской компании SiS
	10	Разработка 8b MCU для автомобильного аудио / Запуск массового производства
	09	Продажа активов на TFT-LCD за 650 млн. долл. США
	08	Решение о разделении на дочерние компании внутри Хёндэ Груп
	07	Отделение отрасли поддержки менеджмента в АО ‘Астек’ Отделение отдела систем связи в "Хёндэ Сиском"
	06	Успех в выпуске широкомасштабного GDR в стране и за рубежом
	05	Отделение отдела устройств связи в "Хёндэ Кьюрител" Отделение отдела ADSL связи в "Хёндэ Нетвокс"
	03	Изменение названия компании на Hynix Semiconductor

2000	08	Отделение отдела мониторов в "Хёндэ Имидж Квест"
	04	Отделение отдела электр.поля в "Хёндэ Автонет"

1990s	10.1999	Слияние с АО LG полупроводники
	03.1999	Продажа компании(ChipPAC), специализирующейся на сборке полупроводников
	09.1998	Разработка 64M DDR синхронного DRAM
	05.1997	Разработка первого в мире 1G синхронного DRAM
	12.1996	Открытие и сертификация предприятия
	10.1995	Разработка первого в мире 256M SDRAM
	08.1995	Основание завода по производству полупроводников в штате Орегон, США
	09.1993	Получение сертификата ISO 9001 в отрасли полупроводников
	08.1993	Покупка американской компании Maxtor по производству HDD
	09.1992	Разработка 64M DRAM
	03.1991	Разработка 16M DRAM

1980s	11.1989	Завершение строительства FAB III
	09.1989	Разработка 4M DRAM
	11.1988	Учреждение местного юридического лица в Европе
	01.1988	Разработка 1M DRAM
	06.1986	Открытие первого фестиваля культуры сотрудников «Амихве»
	04.1986	Основание НИИ полупроводников
	10.1985	Запуск системы массового производства 256K DRAM
	09.1984	Завершение строительства FAB II-A
	02.1983	Основание АО Хёндэ Электроникс Индастри